Toshiba מתכננת להכפיל בשנה הבאה את מהירות הקריאה והרישום של שבבי זיכרון פלאש מסוג NAND. בטכנולוגיה זו משתמשים במצלמות דיגיטליות, מכשירי סאונד ניידים, כרטיסי זיכרון ועוד.


נכון להיום ניתן לכתוב בקצב של 6 מגה ביט לשניה, והחברה מתכננת להגיע לקצבים של 12 מגה ביט בשניה בהמשך השנה הקרובה.


רוב היצור של השבבים הוא בקווי יצור של 90 ננו מיטר ועל מנת להגיע למהירויות הללו יש לעבור לקווי יצור של 52 ננומטר.