Fab 4 תומך ברמות של 56 נינומטר ומתכונן לעבור בהדרגה לטכנולוגיה של 43 ננומטר מתחילת מרץ 2008.


 


Toshiba ו-SanDisk הודיעו על פתיחת מפעל חדש שייצר את בשיטת Fab 4, המאפשר לעבוד ברמה של נתחים (wafer) של 300 מ"מ. רמת יצור זו מאפשרת פתרונות למגוון יישומים, כולל יחידות מדיה ניידות, טלפונים סלולאריים, מחשבים, כרטיסי זיכרון ועוד. Toshiba החלה לבנות את המפעל החדש באוגוסט בשנה שעברה.


ההערכה היא כי יצור המוני יחל רק בדצמבר 2007 ויגיע לרמות של 80,000 נתחים במחצית השנייה של 2008. במפעל תוכנן כך שיש עדיין מקום לגידול והגידול העתידי יכול להגיע לרמות של 210,000 יחידות בחודש.


Fab 4 תומך ברמות של 56 ננומטר ומתכונן לעבור בהדרגה לטכנולוגיה של 43 ננומטר, מתחילת מרץ 2008.


העבודה המשותפת של שתי החברות החלה ביולי 2006 עם הקמת הגוף החדש ש-50.1% בשליטה של Toshiba ו-49.9 של SanDisk


 


הודעה לעיתונות באנגלית