בוועידה של International Solid-State Circuits הודיעו Toshiba ו- SanDisk על גרסת של זיכרון פלאש מסוג NAND, בנפח של 8 גיגה ביט, המיוצר בטכנולוגיה של 70nm. משמעות שילוב טכנולוגיה זו היא שיהיה ניתן לשלב בשבב אחד נפח של 1 גיגה ביט.
כרטיס הזיכרון החדש בנוי במספר שכבות (MLC), שמאפשרות לשמור 2 ביטים של מידע על גבי תא זיכרון בודד. המשמעות היא הכפלת כמות הזיכרון. בשילוב עם תכנון אלקטרוני מתקדם הצליחו המפתחים לשמור על גודל קטן ב- 5% יותר גדול מהגרסה של 4 גיגה (שפותחה בטכנולוגיה של 90nm).
הכרטיס בגודל 146 מ"מ ובנפח של 8 גיגה כולל 6 מליון ביטים, או 3 מליון טרנזיסטורים לס"מ אחד.
כמו כן יש שיפור במהירות הכתיבה והקריאה המאפשרים כתיבה במהירות של 6 מגה ביט לשנייה וקריאה במהירות של 60 מגה ביט לשנייה (40% מהיר יותר מהגרסה הישנה)
החברות מתכננות את תחילת יצור הכרטיס, המבוסס על השבב החדש, לקיץ.
