Sandisk, מכריזה על שבב זיכרון NAND חדש, multi-level cell) MLC), של 4 ג`יגה-ביט. השבבים ייוצרו תוך שימוש בטכנולוגיית 90 ננומטר. בכך מכפילה סנדיסק את הקיבולת של השבב פי שניים. עיצוב מתקדם של השבב והבקרים שלו (אשר פותחו בישראל), מאפשר מהירויות כתיבה גדולות יותר הנדרשות כיום. במקביל הודיעה סנדיסק על שבב זיכרון של 8 ג`יגה-ביט, המכיל 2 שבבי 4 ג`יגה-ביט במארז אחד.


שבבי ה- NAND של סנדיסק משולבים כיום במגוון כרטיסי זיכרון פלאש כמו גם בזיכרונות קבועים הנמצאים במוצרי צריכה אלקטרוניים, דוגמת מצלמות דיגיטאליות, טלפונים סלולאריים של הדור השלישי וכונני קרוזר USB.


לדברי שמעון סטולרו (בתמונה), מנכ"ל סנדיסק ישראל, הדור החדש של זיכרונות ה- NAND MLC יאפשר ייצור של כרטיסי זיכרון בעלי יכולת אחסון כפולה מזו של היום ובעלות נמוכה יותר לכל מגה-בייט. "בכך נוכל לראות אימוץ מהיר יותר של זיכרונות ה- NAND ביישומים צרכניים וסלולאריים. לדוגמה, רק שבב זיכרון אחד של 8 ג`יגה-ביט נדרש לייצור כרטיס זיכרון פלאש של ג`יגה אחד… התוצאה: העלאה מיידית של קיבולות הכרטיסים עבור מוצרים דוגמת נגני MP3, מצלמות וידאו דיגיטאליות וכונני USB פלאש".


ייצור השבבים, שבפיתוחם היתה שותפה גם טושיבה היפנית, יחל בקרוב ולדברי החברה הם לא יימכרו לחברות זרות אלא ישמשו את מערך הייצור של סנדיסק בלבד. מוצרי פלאש המבוססים על הפיתוח החדש צפויים להגיע לשוק ברבעון השלישי של 2004.